刻蚀装置
授权
摘要
本实用新型提供一种刻蚀装置，其包括一刻蚀槽及一磁场产生装置，所述刻蚀槽内能够盛放磷酸刻蚀溶液，所述磁场产生装置能够产生交变磁场，所述交变磁场施加在所述刻蚀槽内的磷酸刻蚀溶液上，以增加刻蚀副产物的运动活性。本实用新型的优点在于，在刻蚀槽内的刻蚀溶液上施加交变磁场，加速刻蚀副产物的运动活性，形成类似搅拌的效果，加速刻蚀副产物的扩散，从而避免刻蚀副产物在隔离层表面沉积而影响后续工艺的进行。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921649253.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-29
授权号 ：
CN210296317U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
苏界徐融孙文斌
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN201921649253.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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