刻蚀上下料装置
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摘要
本实用新型涉及刻蚀上下料装置，其整体呈U型对称布局，包括机架，机架两侧壁处对称设置花篮上料位，机架中部安装转向皮带机构，位于转向皮带机构两侧的机架上依次对称安装中间皮带机构、伸缩皮带机构，单个伸缩皮带机构与花篮上料位之间分别安装升降机构，中间皮带机构两侧安装缓存机构；将装有硅片的花篮放至上料输送带，上料电机工作将其带动并靠近升降机构，升降输送带在升降模组一带动下移动并与上料输送带衔接，花篮传动至升降输送带上，长皮带在无杆气缸动作下伸缩从花篮中获取硅片并经中间皮带机构输送至转向皮带机构，完成硅片的上料；本实用新型结构紧凑合理巧妙，实现了花篮中硅片的自动上料，传送稳定，节拍时间短，工作效率高。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀上下料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020487557.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-03
授权号 ：
CN211788946U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
季徐华杨海波
申请人 ：
无锡森顿智能科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市城南路212号A8
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂启新
优先权 ：
CN202020487557.3
主分类号 ：
H01L21/677
IPC分类号 ：
H01L21/677 H01L21/67 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的，例如在不同的工作站之间
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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