刻蚀方法
授权
摘要
本申请公开了一种刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底上包括至少一个单元区域，每个单元区域中形成有两个沟槽，每个单元区域内的两个沟槽之间的衬底上形成有栅氧；在衬底上形成多晶硅层，多晶硅层填充沟槽后形成DTI结构；通过光刻工艺在多晶硅层的目标区域覆盖光阻；在ICP设备中进行刻蚀，去除除目标区域以外其它区域的多晶硅层，在进行刻蚀的过程中，通过调节刻蚀参数使多晶硅层和其两侧的DTI结构的连接处的刻蚀形貌为弧形且没有锐角；去除光阻。本申请通过在对连接DTI结构的多晶硅层进行刻蚀的过程中，通过调节刻蚀参数使多晶硅层和其两侧的DTI结构的连接处的刻蚀形貌为弧形且没有锐角，从而提高了器件的稳定性和制造良率。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112736024A
申请号 ：
CN202011540990.X
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2020-12-23
授权号 ：
CN112736024B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
冯大贵吴长明欧少敏崔艳雷
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202011540990.X
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20201223
申请日 : 20201223
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
