一种深硅刻蚀方法

实质审查的生效

摘要

本申请公开一种深硅刻蚀方法，包括：对待刻蚀硅进行薄膜沉积，在待刻蚀硅上形成氧化薄膜层；在氧化薄膜层上形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行光刻，得到在氧化薄膜层上的具有第一预设图案的光刻胶层；对待刻蚀硅进行刻蚀，以去除第一预设图案处的氧化薄膜层，得到具有第一预设图案的待刻蚀硅；在具有第一预设图案的待刻蚀硅上形成第二光刻胶层，对第二光刻胶层进行光刻，得到在氧化薄膜层上的具有第二预设图案的光刻胶层；对待刻蚀硅形成第二预设图案的一侧进行刻蚀，以在第一预设图案处形成第一功能区域，以及在第二预设图案中除第一预设图案处形成第二功能区域，本申请能够通过一次刻蚀实现不同深度的刻蚀，具有易匀胶和曝光精度高的优势。

基本信息

专利标题：

一种深硅刻蚀方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114361099A

申请号：

CN202111521328.4

公开（公告）日：

2022-04-15

申请日：

2021-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

马可贞沈方平徐晓苗吴楠张梦

申请人：

苏州芯镁信电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市吴中区东吴北路8号国裕大厦一期1504-3室

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司

代理人：

苗芬芬

优先权：

CN202111521328.4

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/76

组件间隔离区的制作

H01L21/762

介电区

法律状态

2022-05-03 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20211213

2022-04-15 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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