通孔活性离子刻蚀方法
专利权的终止
摘要
一种刻蚀位于导体层上的电介质层和覆盖层以产生通向导体的通孔图案的通孔的方法。该方法包括在光致抗蚀剂剥除步骤中提供四氟代甲烷(CF4)。另外，该方面可以在电介质层刻蚀步骤中提供增加量的四氟代甲烷(CF4)，和在覆盖层刻蚀步骤中提供三氟甲烷(CHF3)。本发明提供了较高的产率、更可预测的刻蚀速率、更快的加工过程和除去了对灰化步骤的需要。
基本信息
专利标题 ：
通孔活性离子刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790667A
申请号 ：
CN200510124653.1
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彼得·比奥尔斯塞缪尔·S.·乔伊
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200510124653.1
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/311
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2018-11-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20051114
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20171114
申请日 : 20051114
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20171114
2010-12-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101051037498
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101246531
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 国际商业机器(中国)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 201203 中国上海市浦东新区张江高科技园区科苑路399号张江创新园10号楼7层
登记生效日 : 20101101
号牌文件序号 : 101051037498
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005101246531
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 国际商业机器(中国)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 201203 中国上海市浦东新区张江高科技园区科苑路399号张江创新园10号楼7层
登记生效日 : 20101101
2007-12-19 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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