一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁和方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁,包括帽部和杆部,所述杆部的一端与帽部固定连接,所述杆部的侧面设置有槽口,所述杆部连接于帽部上偏离帽部中心的位置,所述槽口的宽度等于栅网的金属片的厚度,所述杆部上具有多个槽口,多个槽口沿杆部的长度方向均匀分布,相邻两个槽口的间距等于栅网的相邻两片金属片的间距,本发明能够方便的插入栅网上金属片的孔洞内,与栅网形成稳定结构,以方便、迅速的调整离子源栅网的局域的离子浓度,快速优化刻蚀均匀性。

基本信息
专利标题 :
一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁和方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446745A
申请号 :
CN202210161610.4
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-02-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
唐云俊王昱翔
申请人 :
浙江艾微普科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市海昌街道芯中路6号1幢
代理机构 :
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
丁鹏
优先权 :
CN202210161610.4
主分类号 :
H01J37/08
IPC分类号 :
H01J37/08  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/04
电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置,如电子光学装置,离子光学装置
H01J37/08
离子源;离子枪
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/08
申请日 : 20220222
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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