用于石英晶体的等离子体刻蚀方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于石英晶体的等离子体刻蚀方法。该刻蚀方法包括：对衬底和掩蔽块进行选择，并将所述衬底设置于所述刻蚀腔内；将待刻蚀的石英晶体放置于所述衬底上，并根据需要将所述掩蔽块放置于所述石英晶体上；根据所述石英晶体的刻蚀深度需求，在所述刻蚀机上对刻蚀气体的种类、反应气体的体积混合比、刻蚀气体的流速、刻蚀腔的压强以及等离子体的功率进行控制，此后，开启所述刻蚀机以对所述石英晶体进行刻蚀。本发明不仅能够对石英晶体进行整体或者局部刻蚀，还能够保证刻蚀得到的石英晶体的精度和强度。
基本信息
专利标题 ：
用于石英晶体的等离子体刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497349A
申请号 ：
CN202111659811.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王作羽潘立虎郑文强段友峰崔巍叶林刘小光王莉睢建平高远张秋艳
申请人 ：
北京无线电计量测试研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区永定路50号12号楼
代理机构 ：
中国航天科工集团公司专利中心
代理人 ：
葛鹏
优先权 ：
CN202111659811.9
主分类号 ：
H01L41/332
IPC分类号 ：
H01L41/332
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 41/332
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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