等离子体刻蚀装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明涉及等离子体刻蚀装置，本发明提出一种具有改良的线圈的等离子体刻蚀装置，其线圈包括若干匝圆形和若干匝多边形线圈，用于把反应气体激励成等离子体。本发明的等离子体刻蚀装置的优点和积极效果在于：由于采用了改进的激励线圈，能够在实际的反应室内补偿反应室的机械结构非对称性的影响，产生径向均匀的等离子体，提高硅片刻蚀的均匀性，从而提高硅片刻蚀的良率。
基本信息
专利标题 ：
等离子体刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1852629A
申请号 ：
CN200510126341.4
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈鹏
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王常风
优先权 ：
CN200510126341.4
主分类号 ：
H05H1/24
IPC分类号 ：
H05H1/24 H01J37/32 H01L21/68 H01F5/00
法律状态
2018-08-14 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H05H 1/24
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号
2008-07-23 ：
授权
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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