一种提高刻蚀均匀性等离子体刻蚀装置
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明涉及等离子体刻蚀装置，本发明等离子体刻蚀装置包括反应腔体和具有进气孔的石英盖，其中所述石英盖的具有多个进气孔，其中一个在石英盖中心位置，其余均匀分布在四周。本发明的优点和积极效果在于：由于所述石英盖具有多个进气孔，这些进气孔均匀分布在石英盖中心的四周，更有利于气体在反应腔室中的扩散，使反应腔室内中央部分的气体密度与四周部分的气体密度趋于相同，从而大幅度提高了反应腔室内气体的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种提高刻蚀均匀性等离子体刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848368A
申请号 ：
CN200510126293.9
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王铮
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
练光东
优先权 ：
CN200510126293.9
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-07-29 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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