等离子体刻蚀加工装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种等离子体刻蚀加工装置。其中，该装置包括：真空刻蚀腔室；上电极，设置在所述真空刻蚀腔室内部的顶侧；下电极，设置在所述真空刻蚀腔室内部的底侧；中间电极，设置在所述上电极和所述下电极之间，其中，所述中间电极和所述上电极之间形成辉光电离区。本实用新型解决了由于等离子体刻蚀速率较快，无法满足个别样片极低速刻蚀要求的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
等离子体刻蚀加工装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123354657.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
CN216487953U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
王文彦
申请人 ：
北京量子信息科学研究院
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座
代理机构 ：
广东信达律师事务所
代理人 ：
宋晓云
优先权 ：
CN202123354657.2
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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