半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环

授权

摘要

本实用新型公开了半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，包括固定环形框架，所述固定环形框架的内侧面开设有台阶槽，所述台阶槽的内侧设置有聚光环本体，所述台阶槽的内侧面且位于聚光环本体的下方固定连接有内侧板，所述内侧板的外侧面与台阶槽的侧面组成一个开口的密封室，所述密封室的内部且靠近开口处设置有环形堵盖，所述聚光环本体的底面固定连接有多个连接杆。本实用新型，通过设置有两组框架结构，且在两组框架结构之间设置有伸缩和连接件结构，能够便于调节聚光环本体的高度，通过在聚光环本体的底面固定连接有连接杆，连接杆的底部延伸至密封室的内部固定连接有悬浮的浮球，能够保证调节的时候聚光环本体水平。

基本信息

专利标题：

半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021058215.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-10

授权号：

CN212392208U

授权日：

2021-01-22

发明人：

廖海涛

申请人：

江苏邑文微电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号

代理机构：

北京商专润文专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

邢若兰

优先权：

CN202021058215.6

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32