等离子体刻蚀装置
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摘要

本发明涉及微电子技术领域。本发明等离子体刻蚀装置包括反应室、设置在反应室上面的盖板以及设置在盖板中央安装孔内的喷嘴,其中喷嘴包括外轮廓为阶梯轴状的喷嘴本体,该喷嘴本体的大径部分与盖板密封连接,小径部分与盖板之间设有间隙,喷嘴本体的中心通孔为主气道,喷嘴本体伸出盖板部分设有与主气道连通的反应气体进气管,喷嘴本体上设有若干条连通主气道与所述间隙的辅气道。本发明的有益效果是:本发明中,由于其具有一个进气通道,具有两个出气通道,即主通道及喷射本全与盖板之间的间隙,这样气体在被分流后才进入到反应室内,所以有利于提高反应室内周围气体的密度,降低中央区域的气体密度,从而提高整体反应室内气体密度的均匀性。

基本信息
专利标题 :
等离子体刻蚀装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1848371A
申请号 :
CN200510126304.3
公开(公告)日 :
2006-10-18
申请日 :
2005-12-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
彭宇霖
申请人 :
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 :
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 :
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 :
练光东
优先权 :
CN200510126304.3
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00  H01L21/3065  H01L21/67  C23F4/00  H01J37/32  H05H1/00  B05B1/14  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2018-08-17 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
2008-09-03 :
授权
2006-12-13 :
实质审查的生效
2006-10-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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