一种等离子体刻蚀反应器
授权
摘要
本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，公开了一种等离子体刻蚀反应器。通过本发明创造，提供了一种具有刻蚀高对称性的刻蚀反应器，即包括同轴设置的射频馈入杆、下电极基座、静电吸盘、气体喷淋盘、腔壁、桥连环、射频屏蔽环和射频隔离环，其中，所述射频隔离环包括一体成型的下部隔离环体和上部隔离环体，由此可以在起到对射频信号进行有效隔离的基础上，通过隔离环的一体化设计使得对地寄生电容在径向分布更加均匀，从而降低对地寄生电容对刻蚀对称性的敏感性，实现腔内等离子体均匀分布，特别是高频等离子体的高对称性分布。此外，还可通过屏蔽环的一体化设计，优化射频电流在整个环面流通的一致性，进一步实现腔内等离子体均匀分布。
基本信息
专利标题 ：
一种等离子体刻蚀反应器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021234360.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-29
授权号 ：
CN212062403U
授权日 ：
2020-12-01
发明人 ：
吴堃杨猛
申请人 ：
上海邦芯半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区卫昌路293号2幢12638室
代理机构 ：
成都顶峰专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨国瑞
优先权 ：
CN202021234360.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-12-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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