一种等离子体刻蚀装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种等离子体刻蚀装置，所述装置包括：中空反应室；设置于所述中空反应室上的至少一个进气孔和至少一个排气管；设置于所述中空反应室内的晶舟；所述中空反应室的水平轴线与所述晶舟的延伸方向之间具有预设角度；所述预设角度不等于零。本实用新型的等离子体刻蚀装置的中空反应室的水平轴线与晶舟的延伸方向之间存在一个不等于零的夹角，使得放置在晶舟上的各个样品在中空反应室的水平轴线方向形成截面差，该截面差可以引导气流从两个样品之间流过，从而不形成扰流区，解决样品之间扰流区的存在导致样品刻蚀不均匀的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种等离子体刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020926775.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN211858607U
授权日 ：
2020-11-03
发明人 ：
苏财钰伍凯义杨然翔张嘉修钟光韦
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴志益
优先权 ：
CN202020926775.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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