等离子体刻蚀装置排气环
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明涉及等离子体刻蚀装置。本发明提出的等离子体刻蚀装置排气环，其中环上有通孔，孔的剖面形状优选是漏斗形。本发明的优点和积极效果在于：由于所述排气环具有通孔，因此有利于反应气体的导通性；同时由于排气环剖面采用漏斗形，增大接地面积，更加有效地将屏蔽等离子体，使等离子体限制在一定区域内。
基本信息
专利标题 ：
等离子体刻蚀装置排气环
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851855A
申请号 ：
CN200510126354.1
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵梦欣
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王常风
优先权 ：
CN200510126354.1
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/67 C23F4/00 H01J37/32 H05H1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2018-08-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
2008-09-03 ：
授权
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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