射频偏压调节方法、装置及等离子体刻蚀设备
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摘要

本发明提供一种射频偏压调节方法、装置及等离子体刻蚀设备,该方法包括以下步骤:S1,获取预先设置的最大射频偏压值和与之对应的上射频电源与偏压射频电源输出射频波形的初始的相位差;S2,使偏压射频电源基于最大射频偏压值和初始的相位差输出射频偏压;S3,使相位差增加第一预设调整量;S4,获取偏压射频电源的射频偏压值,将该射频偏压值与最大射频偏压值进行比较;若该射频偏压值大于最大射频偏压值,则进行步骤S5;若该射频偏压值等于最大射频偏压值,则进行步骤S6;S5,使最大偏压值等于该射频偏压值,返回步骤S3;S6,保持相位差不变。通过本发明,实现了等离子体刻蚀速率的最大化。

基本信息
专利标题 :
射频偏压调节方法、装置及等离子体刻蚀设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110752135A
申请号 :
CN201911057312.5
公开(公告)日 :
2020-02-04
申请日 :
2019-10-31
授权号 :
CN110752135B
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
赵晓丽
申请人 :
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 :
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 :
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 :
彭瑞欣
优先权 :
CN201911057312.5
主分类号 :
H01J37/248
IPC分类号 :
H01J37/248  H01J37/305  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/248
与高压电源有关的部件
法律状态
2022-05-27 :
授权
2020-02-28 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/248
申请日 : 20191031
2020-02-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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