测量自偏压来监控等离子体处理系统中处理的方法和装置
授权
摘要
公开了一种用于在具有处理室的等离子体系统中原位监控处理的方法。该方法包括在等离子体处理室中定位衬底(802)。该方法还包括在将衬底设置在等离子体处理室内时在等离子体处理室中撞击等离子体(804)。该方法进一步包括获得撞击等离子体之后存在的测量自偏压，该测量自偏压具有当等离子体不存在时的第一值以及当等离子体存在时的不同于第一值的至少一个第二值(806)。该方法还包括如果测量自偏压值在预定自偏压值包络之外(808)，则使测量自偏压值与处理的属性相关(810、812)。
基本信息
专利标题 ：
测量自偏压来监控等离子体处理系统中处理的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088147A
申请号 ：
CN200580039762.1
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒂莫西·J·吉尼拉奥·安纳普拉加达苏布哈什·德希穆克程家成
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200580039762.1
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30 H01L21/306 H01L21/00 G01L21/30 B44C1/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
2011-12-28 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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