等离子体处理系统和等离子体处理方法

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摘要

本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。

基本信息

专利标题：

等离子体处理系统和等离子体处理方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110137068A

申请号：

CN201910079546.3

公开（公告）日：

2019-08-16

申请日：

2019-01-28

授权号：

CN110137068B

授权日：

2022-04-08

发明人：

茂山和基永关一也

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

刘新宇

优先权：

CN201910079546.3

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32