等离子体处理方法和等离子体处理装置
公开
摘要
本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够抑制等离子体处理中的基板的过度带电。等离子体处理方法包括工序a)、工序b)以及工序c)。在工序a)中，通过向设置于基板吸附部的电极供给电压，来使基板吸附于基板吸附部的上表面。在工序b)中，在供给至基板吸附部的电极的电压稳定之后，切断向电极的电压供给，由此将电极设为浮置状态。在工序c)中，在供给至基板吸附部的电极的电压稳定之后，通过等离子体来对被吸附于基板吸附部的基板的表面实施预先决定的处理。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理方法和等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429896A
申请号 ：
CN202111227980.5
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
青木裕介
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111227980.5
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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