蚀刻方法及等离子体处理装置
公开
摘要
所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内生成处理气体的等离子体。等离子体在腔室内具有下部电极的基板支承器上载置有基板的状态下生成。基板具有膜和掩模。掩模设置于膜上。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过将负的直流电压的脉冲周期性地施加到下部电极以将来自等离子体的离子供给至基板来对膜进行蚀刻。在工序(b)中，脉冲的电压的电平至少变更一次，以使基板的负的电位的绝对值具有随着膜的蚀刻的进行而增加的倾向。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻方法及等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267585A
申请号 ：
CN202111073002.X
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-09-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥慎伍山谷将吾
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
徐殿军
优先权 ：
CN202111073002.X
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/308 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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