蚀刻方法和蚀刻装置
授权
摘要
本发明提供一种利用含有碳和卤素原子的气体进行蚀刻时，能够提高蚀刻处理在基板面内的均匀性的蚀刻方法。该方法从气体供给部(4)向晶片(W)供给含有1分子中碳原子数为2以下的碳和氟的第一气体的处理气体进行蚀刻时，以第一气体室(45)的供给量多于第二气体室(46)的供给量的方式供给处理气体，另外、向晶片(W)供给含有1分子中碳原子数为3以上的碳和氟的第二气体的处理气体进行蚀刻时，以第二气体室(46)的供给量多于第一气体室(45)的供给量的方式供给处理气体。该气体供给部(4)能够从与作为基板的半导体晶片(W)中心区域相对的第一气体室(45)和与晶片(W)周边区域相对的第二气体室(46)，独立地向晶片(W)供给处理气体。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻方法和蚀刻装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838387A
申请号 ：
CN200610064817.0
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田原慈西野雅
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610064817.0
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/00 H05H1/46 H01J37/32 C23F1/00 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2009-05-13 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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