晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法
专利权的终止
摘要
一种晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法。晶片湿法蚀刻方法包括以下步骤。首先，将一晶片置入于一蚀刻液中。接着，在蚀刻液中转动晶片。
基本信息
专利标题 ：
晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959938A
申请号 ：
CN200510118748.2
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭国豪曾国邦
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118748.2
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/311 H01L21/3213 H01L21/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2020-10-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20100929
终止日期 : 20191031
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20100929
终止日期 : 20191031
2010-09-29 ：
授权
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1959938A.PDF
PDF下载
2、
CN1959938B.PDF
PDF下载
