蚀刻方法
公开
摘要
所发明的蚀刻方法包括向腔室内提供基板的工序。基板具有包含硅氮化膜的含硅膜。蚀刻方法包括在腔室内由处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含含氟气体及含硼气体。在进行蚀刻的工序中，支撑基板的基板支撑器的温度设定为小于0℃的温度。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496769A
申请号 ：
CN202111286695.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大类贵俊须田隆太郎户村幕树木原嘉英
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
白丽
优先权 ：
CN202111286695.0
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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