自动补蚀刻方法和装置
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摘要
本公开涉及半导体技术领域，公开了一种自动补蚀刻方法和装置，该自动补蚀刻方法包括：接收第一蚀刻机台发出的报警信号，终止对第一蚀刻机台内晶圆的蚀刻；接收第一蚀刻机台内的运行参数，当运行参数超过设定阈值时，将晶圆退出第一蚀刻机台；获取已经进行蚀刻的已蚀刻时长，当已蚀刻时长小于制程时长时，确定对晶圆进行补蚀刻；根据已蚀刻时长、制程时长、第一蚀刻机台的蚀刻参数以及第二蚀刻机台的蚀刻参数确定补蚀刻制程，并将晶圆转入第二蚀刻机台按照补蚀刻制程进行补蚀刻。该自动补蚀刻方法避免颗粒物、聚合物掉落在晶圆上对晶圆造成污染导致的报废；避免影响蚀刻进行，保证工作效率；而且确定补蚀刻制程确保补蚀刻的准确性。
基本信息
专利标题 ：
自动补蚀刻方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113223955A
申请号 ：
CN202110500757.7
公开（公告）日 ：
2021-08-06
申请日 ：
2021-05-08
授权号 ：
CN113223955B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
田乐张国庆张博维杨军
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN202110500757.7
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-08-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20210508
申请日 : 20210508
2021-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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