蚀刻方法和蚀刻设备
专利权的终止
摘要
本发明是一种用于在能够被抽空以在其中产生真空的处理容器中，在等离子体存在的情况下在待处理物体上执行蚀刻处理的蚀刻方法，在待处理物体中，在由含硅材料制成的基底层上形成有由含钨材料制成的待蚀刻层，其中含氯气体、含氧气体和含氮气体被用作用于执行蚀刻处理的蚀刻气体。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻方法和蚀刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101069272A
申请号 ：
CN200580040949.3
公开（公告）日 ：
2007-11-07
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西塚哲也
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200580040949.3
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2018-01-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20161118
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20161118
2010-01-13 ：
授权
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2007-11-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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