面板蚀刻设备
授权
摘要
本实用新型公开一种面板蚀刻设备，该面板蚀刻设备包括真空壳体、上电极组件、下电极组件和驱动组件，上电极组件和下电极组件均设在真空壳体内且相对平行设置，驱动组件与下电极组件相连，驱动组件用于驱动下电极组件朝向靠近或者远离上电极组件的方向运动。该面板蚀刻设备能够根据实际需要调整上电极组件和下电极组件之间的间距，较好地满足多种尺寸的面板蚀刻以及不同参数蚀刻要求。
基本信息
专利标题 ：
面板蚀刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122837120.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-18
授权号 ：
CN216213262U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
梁一韩
申请人 ：
乐金显示光电科技（中国）有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市高新技术产业开发区科学城开泰大道59号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
马笑雨
优先权 ：
CN202122837120.5
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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