蚀刻设备
授权
摘要
本实用新型涉及一种蚀刻设备，包括：腔体，所述腔体中设置有用于承载晶圆的承载位；测温组件，包括红外测温件及角度调节件，所述红外测温件与所述角度调节件连接，所述角度调节件设置于所述腔体上；所述角度调节件被配置为提供所述红外测温件转动所需的动能，以支持所述红外测温件检测所述晶圆表面不同位置的温度。本实用新型能够实时监测蚀刻主制程过程中的晶圆表面温度，且通过角度调节件可调整红外测温件的角度，以监测晶圆表面各方位的温度，从而可以有效地改善制程条件，提高产品良率；可以获取精确至每一步制程的温度参数，节省传统实验贴测温片的人力、物力及时间。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220293470.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
CN216671577U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
喻兵苏财钰张涛伍修颀
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张博
优先权 ：
CN202220293470.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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