干式蚀刻方法、半导体器件的制造方法和蚀刻装置
公开
摘要
本公开的实施方式的干式蚀刻方法为一种干式蚀刻方法，其特征在于，使形成于处理体的表面的、包含M‑O键能为5eV以上的金属或前述金属的氧化物的被蚀刻膜与β‑二酮和二氧化氮反应，在不伴有等离子体状态的情况下进行蚀刻。
基本信息
专利标题 ：
干式蚀刻方法、半导体器件的制造方法和蚀刻装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616651A
申请号 ：
CN202080073880.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山内邦裕北山光八尾章史
申请人 ：
中央硝子株式会社
申请人地址 ：
日本山口县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202080073880.9
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/324 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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