蚀刻残渣除去方法以及使用它的半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
谋求蚀刻残渣的剥离性的提高、处理时间的短缩、以及剥离液使用量的减少。在蚀刻残渣除去方法的清洗过程中，进行第1水洗处理(11)、第1干燥处理(12)、剥离液处理(13)、漂洗处理(14)、第2水洗处理(15)、以及、第2干燥处理(16)。在第1水洗处理(11)中，用纯水将绝缘膜以及这之上的金属布线水洗。在第1干燥处理(12)中，例如在常温的氮气氛围中干燥绝缘膜以及金属布线。在剥离液处理(13)中，例如用胺类剥离液将附着在绝缘膜以及金属布线上的蚀刻残渣剥离。在漂洗处理(14)中，例如用漂洗液IPA洗濯绝缘膜以及金属布线。在第2水洗处理(15)中，用纯水将绝缘膜以及金属布线水洗。之后，在第2干燥处理(16)中，例如在常温的氮气氛围中干燥绝缘膜以及金属布线。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻残渣除去方法以及使用它的半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1862786A
申请号 ：
CN200610068048.1
公开（公告）日 ：
2006-11-15
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊藤武志
申请人 ：
冲电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200610068048.1
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2012-06-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101262309811
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL2006100680481
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20110324
号牌文件序号 : 101262309811
IPC(主分类) : H01L 21/302
专利号 : ZL2006100680481
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20110324
2009-07-08 ：
授权
2008-07-02 ：
实质审查的生效
2006-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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