一种半导体元器件金蚀刻装置
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型涉及机械技术领域,具体为一种半导体元器件金蚀刻装置,包括箱体,箱体的顶壁上设有输液管,输液管上安装有若干个喷头,箱体的底壁上紧密焊接有工作台,工作台上设有若干个电机,电机的上方设有隔板,隔板的隔板上设有若干个漏液孔,位于隔板的中心位置处设有通孔,通孔内设有转盘。该半导体元器件金蚀刻装置,将待蚀刻的半导体材料放置在转盘上,蚀刻溶液通过喷头喷出,电机带动转盘在隔板上的通孔内转动,使得喷出的蚀刻溶液均匀洒在转盘上的半导体材料上,多余的蚀刻溶液通过隔板上的漏液孔流入工作台上,并通过排液管流出箱体进行回收,解决半导体蚀刻装置蚀刻溶液喷洒不均匀的问题。

基本信息
专利标题 :
一种半导体元器件金蚀刻装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920783582.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-28
授权号 :
CN210262010U
授权日 :
2020-04-07
发明人 :
杜良辉孙国标凌永康
申请人 :
江苏壹度科技股份有限公司
申请人地址 :
江苏省镇江市句容市开发区崇明西路102号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201920783582.3
主分类号 :
C23F1/08
IPC分类号 :
C23F1/08  H01L21/67  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料;金属材料的缓蚀;一般防积垢;至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/08
装置,如照相印刷制版装置
法律状态
2021-09-21 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23F 1/08
登记生效日 : 20210908
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 江苏壹度科技股份有限公司
变更后权利人 : 江苏晶度半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 212400 江苏省镇江市句容市开发区崇明西路102号
变更后权利人 : 212000 江苏省镇江市句容市开发区崇明西路102号8号楼
2020-04-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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