一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置
授权
摘要
一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置，本实用新型涉及半导体生产设备技术领域，它还包含二号连杆、喷嘴和摆动连接件；喷嘴的外侧固定套设有摆动连接件，数个摆动连接件的后侧等间距旋转设置在摆动整体框架的前侧壁上，蚀刻机本体的内部固定设置有二号连杆，摆动连接件的端部开设有腰形槽，摆动连接件通过腰形槽旋转套设在二号连杆上，保留了原装置的水平往复机构，通过摆动连接件带动喷嘴做水平动作的时候同时做弧形动作，将喷洒到工件的药液快速排出以增加新鲜蚀刻液的补入，更好的进入线路内部，有效提升引线框架蚀刻精度，清除基板板面积液，有效提升高密度引线框架的良品率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020487527.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-07
授权号 ：
CN211907390U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
邵文庆袁永卫李圆圆高平刘亚飞
申请人 ：
常州弘盛达电子设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区乐山路58号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020487527.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
