一种改善蚀刻应力的引线框架
授权
摘要
本实用新型涉及一种改善蚀刻应力的引线框架，包括引脚和基岛，所述引脚和基岛背面部分区域为半蚀刻，所述基岛背面半蚀刻后形成长条形的散热片，所述基岛的边缘设有用于减少与蚀刻液接触面积的通孔。首先，通孔的位置设置不会影响在基岛上焊接芯片，其次，通孔可以减少与蚀刻液的接触面积，蚀刻过程中减少热量的产生，更易散出，减少热量聚集的机会，从而获得较均匀的温度场，减少基岛上的热应力产生，同时通过改变引线框架的结构，使得大部分残余应力和热应力能相互平衡，甚至抵消，降低应力的不利影响，在批量生产时减少基岛翘曲、变形等不良出现。
基本信息
专利标题 ：
一种改善蚀刻应力的引线框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022318360.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
CN212967686U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
张怡易炳川黄乙为饶锡林冯学贵
申请人 ：
气派科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区平龙西路250号1#厂房301-2
代理机构 ：
深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴雅丽
优先权 ：
CN202022318360.X
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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