一种半蚀刻引线框架
授权
摘要
本实用新型涉及引线框架技术领域,且公开了一种半蚀刻引线框架,包括框架,所述框架的上部开设有导流槽,所述导流槽的一端与导流口固定连通,所述导流口开设在坡板的一侧,所述坡板的一侧固定安装有第一垫片,所述第一垫片的上侧内部固定安装有散热片,所述第一垫片的上端固定安装有第二垫片。该半蚀刻引线框架,通过在框架的上表面开设有导流槽,且导流槽与导流口进行连通,便于对导流槽上将多余的电镀液进行导流,并通过导流口统一流出,增加了装置表面液体的流动速度,便于装置进行加工,且第一垫片的上部设有散热片,便于在第一垫片将框架上部的热进行吸收和交换后,通过散热片将装置上部的多余热量进行散出,提高装置的散热效率。
基本信息
专利标题 :
一种半蚀刻引线框架
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022343676.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-20
授权号 :
CN213212156U
授权日 :
2021-05-14
发明人 :
沈健高迎阳陈奉明
申请人 :
泰州东田电子有限公司
申请人地址 :
江苏省泰州市高港区许庄兴旺路东侧
代理机构 :
合肥左心专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
阮志刚
优先权 :
CN202022343676.4
主分类号 :
H01L23/495
IPC分类号 :
H01L23/495 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-05-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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