一种引线框架流水线用蚀刻设备
授权
摘要
本实用新型涉及引线框架技术领域，公开了一种引线框架流水线用蚀刻设备，包括蚀刻池和支架，支架位于蚀刻池一侧，支架上端设置有导轨，导轨沿蚀刻池长度方向设置并使其长度大于蚀刻池长度，导轨中部呈内凹设置，两端呈水平设置，所述导轨上端滑动设置有多个滑动件，滑动件上向下设置有连杆一，连杆一下端延伸出导轨并设置有蚀刻箱，所述滑动件上向上设置有连杆二，连杆二上设置有弹性回复件，弹性回复件上端设置有可用于带动弹性回复件沿蚀刻池长度方向移动的水平传动机构。本实用新型可实现将引线框架蚀刻成为流水线型作业，从而提高加工效率的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种引线框架流水线用蚀刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920941748.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-20
授权号 ：
CN209859922U
授权日 ：
2019-12-27
发明人 ：
刘开杰李者不
申请人 ：
天水迈格智能设备有限公司
申请人地址 ：
甘肃省天水市天水经济技术开发区社棠工业园区产业孵化园9号标准厂房一屋
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
汤春微
优先权 ：
CN201920941748.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/48 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-12-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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