一种半蚀刻引线框架结构

授权

摘要

本实用新型涉及一种半蚀刻引线框架结构，它包括第一图形层(1)，所述第一图形层(1)上设置有第二图形层(2)，所述第一图形层(1)和第二图形层(2)之间设置有第一抗蚀层(4)，所述第一图形层(1)、第二图形层(2)和第一抗蚀层(4)外围包封有绝缘材料(3)，所述第二图形层(2)表面部分区域设置有第二抗蚀层(6)，所述第二图形层(2)表面未设置第二抗蚀层(6)的区域蚀刻至第一抗蚀层(4)从而形成半蚀刻凹槽(5)。本实用新型一种半蚀刻引线框架结构，它解决了传统工艺难以解决的均匀性问题，可以满足客户更多的半蚀刻深度要求，且工艺简单，生产周期短管控成本低，从而大大提高了产品在市场上的竞争优势。

基本信息

专利标题：

一种半蚀刻引线框架结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921979846.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-16

授权号：

CN210837734U

授权日：

2020-06-23

发明人：

张凯任鹏飞陆晓燕任姣

申请人：

江苏长电科技股份有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号

代理机构：

北京中济纬天专利代理有限公司

代理人：

赵海波

优先权：

CN201921979846.9

主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L23/495 H01L21/48