一种新型引线框架蚀刻设备
授权
摘要
本实用新型涉及引线框架蚀刻设备领域，公开一种新型引线框架蚀刻设备，包括箱体，箱体上设有进料口、出料口，进料口、出料口的横向中心线一致，箱体外壁分别固定设有用于进料口、出料口输送材料的进料辊组、出料辊组，箱体内设有管道装置，管道装置上设有两个横向中心线一致的第一通管，第一通管上通过卡箍管件连接有斜流管，斜流管的工作端固定设有喷头一，喷头一内并列设有与外界连通的第一喷槽、第二喷槽、第三喷槽，进料辊组与出料辊组的输送线与喷头一平行。本实用新型解决了现有的喷射蚀刻设备存在喷射位置不准确，容易使蚀刻中的引线框架出现蚀刻不均匀的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种新型引线框架蚀刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921000622.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-27
授权号 ：
CN210073767U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
刘帅帅王一朝
申请人 ：
天水迈格智能设备有限公司
申请人地址 ：
甘肃省天水市天水经济技术开发区社棠工业园区产业孵化园9号标准厂房一屋
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
谢建
优先权 ：
CN201921000622.9
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/495 C23F1/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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