一种集成电路引线框架半蚀刻设备
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摘要

本发明涉及引线框架半蚀刻技术领域,尤其是一种集成电路引线框架半蚀刻设备,包括壳体,壳体两侧固定连通有蓄水箱,蓄水箱内部固定有水泵,水泵的出水端通过导管固定连通有喷洒管,喷洒管固定在壳体内壁之间喷洒管的外壁上固定连通有多个喷头,壳体的内壁两侧对称固定有导轨,导轨内部滑动连接有滑动条,其中一个滑动条的一侧设置有用于驱动滑动条在导轨内部滑动的驱动机构,两个滑动条之间设置有支撑板;本方案通过在蚀刻完成后,通过翻转机构带动引线框架转动,使凹槽内部的蚀刻液被翻转下坠,有利于在蚀刻完成后,及时对引线框架表面的蚀刻液进行清理,防止蚀刻液停留在引线框架表面继续蚀刻,造成蚀刻深度较深的情况发生。

基本信息
专利标题 :
一种集成电路引线框架半蚀刻设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114050117A
申请号 :
CN202111360835.4
公开(公告)日 :
2022-02-15
申请日 :
2021-11-17
授权号 :
CN114050117B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
康亮康小明马文龙
申请人 :
天水华洋电子科技股份有限公司
申请人地址 :
甘肃省天水市天水经济技术开发区社棠工业园
代理机构 :
北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
陆华
优先权 :
CN202111360835.4
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01L21/48  C23F1/08  C23F1/02  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-03 :
授权
2022-03-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211117
2022-02-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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