一种集成电路蚀刻引线框架退银工艺
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摘要

本发明涉及引线框架加工技术领域,尤其是一种集成电路蚀刻引线框架退银工艺,该退银工艺包括以下步骤:步骤一、放置引线框架:将镀银后需要退银的引线框架由退银装置的一端放入退银装置的内部,退银装置通过传送带动引线框架移动;步骤二、引线框架退银:在退银装置内部移动的引线框架与退银装置的电源正极连接,使得引线框架在传动过程中退银。此装置通过退银液置换装置的设置,使得装置内部在每运行一段时间后,将退银槽内部浓度降低后的退银液排出部分,同时导入高浓度的新退银液,从而对退银槽内部的退银液浓度进行重新调配,有利于保持退银槽内部的退银液始终保持在一定范围内,从而有利于保持引线框架退银速度的稳定。

基本信息
专利标题 :
一种集成电路蚀刻引线框架退银工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114023655A
申请号 :
CN202111336239.2
公开(公告)日 :
2022-02-08
申请日 :
2021-11-12
授权号 :
CN114023655B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
康亮康小明马文龙
申请人 :
天水华洋电子科技股份有限公司
申请人地址 :
甘肃省天水市天水经济技术开发区社棠工业园
代理机构 :
北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
陆华
优先权 :
CN202111336239.2
主分类号 :
H01L21/48
IPC分类号 :
H01L21/48  H01L21/677  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法,在器件组装之前制造或处理部件,例如容器
法律状态
2022-05-13 :
授权
2022-02-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211112
2022-02-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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