改进的半导体蚀刻机台
专利权的终止
摘要
本实用新型提出一种改进的半导体蚀刻机台，其包含：一个真空腔体；一个位于上述真空腔体之内的载板，该载板上设有数个用以承载晶圆的容纳位置；以及一个支撑上述载板的支撑轴；其特征在于上述载板之各容纳位置，藉由一中心区域而互相连接，该中心区域之中心点至其边缘其中一点的长度，小于该中心点至任一容纳位置最远边缘点的长度。本实用新型其载板面积较现有技术为小，因此可提高RF功率的运用效率，亦可以功率耗损较低的方式达成较佳的蚀刻率。
基本信息
专利标题 ：
改进的半导体蚀刻机台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620119834.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-08-02
授权号 ：
CN2935468Y
授权日 ：
2007-08-15
发明人 ：
刘相贤
申请人 ：
联萌科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县竹北市光明六路47号9楼
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
谢丽娜
优先权 ：
CN200620119834.5
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/683 C23F4/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2010-11-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101012497600
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2006201198345
申请日 : 20060802
授权公告日 : 20070815
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101012497600
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2006201198345
申请日 : 20060802
授权公告日 : 20070815
终止日期 : 无
2008-06-04 ：
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 联萌科技股份有限公司
变更后权利人 : 力鼎精密股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 中国台湾新竹县竹北市光明六路47号9楼,邮编 :
变更后 : 中国台湾苗栗县,邮编 :
登记生效日 : 20080425
变更前权利人 : 联萌科技股份有限公司
变更后权利人 : 力鼎精密股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 中国台湾新竹县竹北市光明六路47号9楼,邮编 :
变更后 : 中国台湾苗栗县,邮编 :
登记生效日 : 20080425
2007-08-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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