蚀刻机台装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种蚀刻机台装置。蚀刻机台装置包括：机体，机体具有沿晶圆的移动方向依次设置的第一蚀刻槽、第二蚀刻槽和水槽；快门，快门为多个，第一蚀刻槽和第二蚀刻槽之间的槽壁上、第二蚀刻槽和水槽之间的槽壁上分别开设有槽壁开口，各槽壁开口处分别对应设置有一个能够平移滑动的快门，以遮挡或避让槽壁开口，以使晶圆能够穿过槽壁开口在第一蚀刻槽、第二蚀刻槽和水槽之间移动。本实用新型解决了现有技术中蚀刻机台的元器件易腐蚀以及各工作区间之间互相影响的问题。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻机台装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022136615.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
CN212725232U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
兰升友柘涛易熊军杨富可黄韬
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘娜
优先权 ：
CN202022136615.0
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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