一种湿法蚀刻机台清洗装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种湿法蚀刻机台清洗装置。包括:储液箱,存储清洗液;至少包括顺次设置于储液箱一侧的第二冲洗单元、第一冲洗单元,第一、第二冲洗单元分别对待清洗物进行第一次冲洗、第二次冲洗;储液箱通过第一输液管与第一、第二冲洗单元连通向第一、第二冲洗单元输送清洗液;第一冲洗单元包括第一积液箱,积存经第一冲洗单元清洗后的清洗液,第一积液箱底部设有排流管;第二冲洗单元包括第二积液箱,第二积液箱通过第二输液管与第一冲洗单元连通,第二输液管上设置有过滤装置,过滤第二积液箱内排出的清洗液。通过设置的积液箱和过滤装置将清洗液进行过滤后重复利用,减少了清洗液的用量,降低了厂务处理废水的费用。
基本信息
专利标题 :
一种湿法蚀刻机台清洗装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022273776.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-13
授权号 :
CN213752633U
授权日 :
2021-07-20
发明人 :
兰升友李瑶熊超超肖清凯杨富可
申请人 :
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 :
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 :
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 :
李发兵
优先权 :
CN202022273776.4
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-07-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN213752633U.PDF
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