一种湿法蚀刻装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种湿法蚀刻装置，包括晶圆旋转夹盘，固定在晶圆旋转夹盘上的晶圆和回收槽，所述晶圆旋转夹盘靠近边缘的盘面上设有加热层，所述加热层为圆形且与晶圆旋转夹盘同圆心，所述晶圆旋转夹盘下方设有回收槽，所述晶圆上方设有供液管，所述供液管底部设有喷嘴，所述喷嘴呈圆周分布设有多层且与晶圆旋转夹盘同圆心，所述外层喷嘴数量大于内层喷嘴数量，所述供液管通过水泵与供液仓连通，所述供液仓内设有加热管。本实用新型能够补偿蚀刻液在晶圆中心和边缘的温度差，增加蚀刻液在晶圆边缘的流量，提高晶圆的蚀刻均匀度。
基本信息
专利标题 ：
一种湿法蚀刻装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920525067.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-17
授权号 ：
CN209822599U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
马文龙马伟凯杨荣徐文彦
申请人 ：
天水华洋电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
甘肃省天水市经济技术开发区社棠工业园
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
邹敏菲
优先权 ：
CN201920525067.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687 B01D29/11
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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