等离子蚀刻装置及等离子蚀刻系统

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摘要

本实用新型涉及一种等离子蚀刻装置及等离子蚀刻系统，包括：等离子蚀刻箱，所述等离子蚀刻箱的内部形成有等离子蚀刻腔；加热保温组件，所述加热保温组件设置于所述等离子蚀刻腔的内壁上；及控制器，所述加热保温组件与所述控制器电性连接。因而即便当等离子蚀刻装置停机后的几个小时内，由于控制器可控制加热保温组件通电产热，可使等离子蚀刻腔处于保温状态(通常可维持腔内温度达到80°甚至更高)，如此一来就可以很好的避免因温度骤降，导致等离子反应气体中的氟化物和高分子胶发生沉积现象而堆积附着在腔体内壁上，进而吸收通入等离子蚀刻腔内的大部分等离子气体和能量，造成蚀刻量下降50％以上，并最终影响对产品的蚀刻加工效率。

基本信息

专利标题：

等离子蚀刻装置及等离子蚀刻系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021897995.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-03

授权号：

CN212517132U

授权日：

2021-02-09

发明人：

丁雪苗赵公魄赵芝强

申请人：

珠海宝丰堂电子科技有限公司

申请人地址：

广东省珠海市金湾区红旗镇东成路118号2号厂房一至三层之一

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

王蔷

优先权：

CN202021897995.3

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01J37/32