蚀刻方法和等离子体处理装置
公开
摘要
本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够在含硅膜的等离子体蚀刻中对通过蚀刻形成的凹部的底部的宽度进行调整。一个例示性的实施方式所涉及的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，向基板支承器上提供基板；工序(b)，将基板支承器的温度调整为‑20℃以下；工序(c)，向腔室内供给包含含氮气体的处理气体；以及工序(d)，使用从处理气体生成的等离子体来对含硅膜进行蚀刻。通过对含硅膜进行蚀刻，含有硅和氮的副产物附着于凹部的侧壁。蚀刻方法在工序(b)之前包括工序(e)，在该工序(e)中，设定基板支承器的温度和处理气体中包含的含氮气体的流量中的至少一个蚀刻参数，以通过副产物的附着量来调整凹部的底部的宽度。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻方法和等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334595A
申请号 ：
CN202111108783.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
横山乔大松桥泰平细谷正德松本大宇
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111108783.1
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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