蚀刻方法和等离子体处理装置
公开
摘要
本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，抑制形成于含硅膜的凹部的形状异常，并且使凹部的底部的蚀刻进展。公开的蚀刻方法包括准备具有含硅膜的基板的工序(a)，所述含硅膜包括氧化硅膜。将基板载置在设置于腔室内的基板支承器上。蚀刻方法还包括向腔室内供给处理气体的工序(b)。处理气体包含六氟化钨气体、含碳及氟的气体以及含氧气体。蚀刻方法还包括由处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序(c)。工序(c)包括对基板支承器周期性地施加负的直流电压。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻方法和等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446778A
申请号 ：
CN202111228868.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
千野光贵佐佐木彦一郎
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111228868.3
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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