聚焦环、等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种聚焦环，是在利用等离子体对载置在气密性处理容器内的载置台上的基板表面进行蚀刻的等离子体蚀刻装置中使用、以围绕所述基板周围的方式设置的聚焦环。聚焦环中，在靠近其表面的内侧处，具有对该区域进行精加工，使其平均表面粗糙度Ra小到蚀刻处理时不捕捉反应生成物的程度的第一区域，在所述第一区域的外侧，具有对该区域进行a精加工，使其平均表面粗糙度R大到能捕捉所述反应生成物的第二区域。第一区域和第二区域的界限，是将聚焦环组装到等离子体蚀刻装置中，利用等离子体对基板进行蚀刻时，消耗程度相对于其他部位大幅度变化的部位。

基本信息

专利标题：

聚焦环、等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1776889A

申请号：

CN200510123269.X

公开（公告）日：

2006-05-24

申请日：

2005-11-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

佐藤大树小林秀行堀口将人

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN200510123269.X

主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/3065 C23F4/00