等离子体蚀刻方法
授权
摘要
本发明提供一种在避免产生栅栏的同时、以高蚀刻速度可对Ti进行蚀刻，而且在蚀刻过程中抑制腔室内堆积物的产生，以可防粉粒污染于未然的等离子体蚀刻方法。该方法包括：第一等离子体处理工序，在腔室内压力4Pa以下，使含有氟化合物的蚀刻气体的等离子体作用于在可保持真空的处理容器内形成的、并至少具有形成为规定形状的图案的掩模层和作为在上述掩模层下面形成的被蚀刻层的Ti层的被处理体，对上述Ti层进行蚀刻；第二等离子体处理工序，在第一等离子体处理工序结束后，将洗净气体的等离子体导入到上述处理腔室内而进行干洗净，在上述第二等离子体处理工序中，除去由上述第一等离子体处理工序生成的含有Ti化合物的堆积物。
基本信息
专利标题 ：
等离子体蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1787183A
申请号 ：
CN200510131087.7
公开（公告）日 ：
2006-06-14
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
森北信也杉山正治川端淳史
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510131087.7
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/3213 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2008-08-20 ：
授权
2006-08-09 ：
实质审查的生效
2006-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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