一种等离子体蚀刻装置

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摘要

本实用新型涉及蚀刻装置技术领域，且公开了一种等离子体蚀刻装置，包括蚀刻腔，所述蚀刻腔的外侧活动安装有电极，所述蚀刻腔的内部上方活动安装有喷气装置，所述喷气装置的上部固定连接有进气管，所述喷气装置的下方活动安装有晶片，所述晶片活动安装有第一电动推杆的上部，所述第一电动推杆的顶部活动安装有晶片加载槽。该等离子体蚀刻装置，通过在蚀刻腔的内部活动安装有晶片加载槽，并将晶片加载槽的底部通过第一电动推杆进行支撑安装，便于通过第一电动推杆带动晶片加载槽和晶片加载槽上部的晶片进行升降，便于将晶片带动至蚀刻腔的上部，便于晶片更好的与蚀刻腔上部的等离子体进行蚀刻反应，便于提高晶片的蚀刻质量。

基本信息

专利标题：

一种等离子体蚀刻装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021922377.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-04

授权号：

CN212750801U

授权日：

2021-03-19

发明人：

因福明沈杰

申请人：

昆山福钻新材料科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市昆山市周庄镇崇远路333号A2幢2楼211室

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司

代理人：

董成

优先权：

CN202021922377.X

主分类号：

H01J37/20

IPC分类号：

H01J37/20 H01J37/305 H01L21/687 H01L21/677 H01L21/3065