以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法
专利权的终止
摘要
在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF4、N2和Ar的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括H2、NH3、碳氟氢化合物气体和/或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括CH2F2、CH3F；和/或CHF3。碳氟化合物气体可包括C4F8、C4F6和/或C5F8。
基本信息
专利标题 ：
以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828843A
申请号 ：
CN200510137398.4
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
格拉多·A·戴戈迪诺斯昌林叶延史云炅
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
肖善强
优先权 ：
CN200510137398.4
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 C23F4/00 H01J37/32 H05H1/46 H05H1/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2011-02-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101038292097
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2005101373984
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20081001
终止日期 : 20100105
号牌文件序号 : 101038292097
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2005101373984
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20081001
终止日期 : 20100105
2008-10-01 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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