以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明公开了一种以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法。在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含CF₄、N₂和Ar的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括H₂、NH₃、碳氟氢化合物气体和/或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括CH₂F₂、CH₃F；和/或CHF₃。碳氟化合物气体可包括C₄F₈、C₄F₆和/或C₅F₈。

基本信息

专利标题：

以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101350303A

申请号：

CN200810146284.X

公开（公告）日：

2009-01-21

申请日：

2005-12-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

格拉多·A·戴戈迪诺斯昌林叶延史云炅

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

肖善强

优先权：

CN200810146284.X

主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

H01L21/311 H01L21/00 H01J37/32 H05H1/00